安泰科技超薄納米晶材料進軍第三代半導體行業

近日，安泰科技獲得科技部“十四五”國家重點研發計劃“高端功能與智能材料”支持，成功申請2022年度科技部重點專項——面向第三代半導體應用的高頻軟磁材料（共性關鍵技術）項目，標志著安泰科技超薄納米晶材料正式進軍第三代半導體行業。

以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表的第三代半導體的發展已列入“十四五”規劃成為國家戰略，第三代半導體具有更寬的禁帶寬度、更高的導熱率、更高的抗輻射能力、更大的電子飽和漂移速率等特性，可以實現更好的電子濃度和運動控制，更適合于制作高溫、高頻、抗輻射及大功率電子器件，在光電子和微電子領域具有重要的應用價值，目前市場火熱的5G基站、新能源汽車和快充等更是它的重要應用領域。

第三代半導體的應用加速了電力電子裝備朝著高頻化、小型化、高效化方向發展，對與之配套的軟磁材料高頻性能提出了更高要求，高頻阻抗特性、高頻低損耗特性、超薄帶材（＜14μm），傳統的納米晶帶材及其元器件的性能指標還難于滿足上述要求，從而嚴重影響第三代半導體器件的發展與應用，為此，亟需開發出新一代高頻低損耗納米晶帶材及其元器件。安泰科技深耕非晶納米晶行業四十余年，前期已經承擔完成了特種軟磁合金領域多項國家重點專項，形成了深厚的技術積淀與豐富的科研成果。作為國內*早從事納米晶軟磁材料開發與產業化的企業，開發出一系列納米晶產品（Antainano），“納米晶軟磁合金及制品應用開發”榮獲2008年國家科學技術進步二等獎，是全球產業化規模*大的國際三大非晶、納米晶材料制造企業之一。面對超薄納米晶帶材市場的巨大需求與挑戰，在具有自主知識產權的萬噸級非晶帶材連續化生產技術基礎上，開發出寬幅超薄納米晶帶材連續化生產技術，解決了納米晶帶材寬度和厚度受限的難題，提高了單爐產量和帶材厚度一致性，帶寬可達120mm以上、帶厚可達14μm，填補了國內*，為發展大功率高頻變壓器、促進靈活交流輸電和電網智能化奠定了基礎，榮獲2021年冶金科學技術特等獎。

重任在肩、當仁不讓。安泰科技將以實施國家重點專項為契機，更加奮發有為、不斷創新突破，進一步發揮和鞏固在非晶納米晶領域的技術和產業優勢，加快突破第三代半導體器件用高頻軟磁材料的技術瓶頸，加速推進高頻高性能納米晶軟磁材料在SiC/GaN第三代半導體電源模塊中的關鍵技術集成，以及在信息通訊、新能源汽車、5G終端等領域的示范應用，提升安泰科技在全球半導體產業鏈中的配套能力。

相關新聞